Установка плазмохимического осаждения Oxford instruments Plasmalabsystem 100 PECVD
![ustanovka202-01](https://solar.spbau.ru/wp-content/uploads/2018/10/ustanovka202-01.jpg)
![ustanovka201](https://solar.spbau.ru/wp-content/uploads/2018/10/ustanovka201.jpg)
Назад
Далее
Установка предназначена для плазмо-химического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев (SiO2, Si3N4, a-Si:H, a-SiC:H). Установка имеет шесть газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Частота ВЧ генератора 13,56 МГц. Нагрев подложек до температуры 400°С. Установка снабжена загрузочным шлюзом.
Год выпуска: 2010.