Установка предназначена для плазмо-химического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев (SiO2, Si3N4, a-Si:H, a-SiC:H). Установка имеет шесть газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Частота ВЧ генератора 13,56 МГц. Нагрев подложек до температуры 400°С. Установка снабжена загрузочным шлюзом.

Год выпуска: 2010.