Установка молекулярно-пучковой эпитаксии предназначена для синтеза пларных слоев и структур пониженной размерности из полупроводниковых соединений А3В5. Установка укопмлектована источниками материалов 3-ой группы Ga, In, Al, 5-ой группы As, P, N, а также легирующими примесями Si и Be. В вакуумной камере устанвки встроены система дифракции быстрых электронов на отражение, а также квадруполный масс-спектрометр.