Уважаемые коллеги,
Современные наноразмерные полупроводниковые системы с небольшими размерами открывают новые возможности для исследования и разработки оптоэлектронных устройств с выдающимися характеристиками. Низкоразмерные наногетероструктуры, включая нанопроволоки и квантовые точки, обладают однозначными и захватывающими свойствами, которые позволяют проектировать запрещенную зону и открывают новые стратегии манипулирования светом.
Полупроводниковые наноструктуры могут выступать в качестве строительных блоков для иерархической сборки функциональных наноразмерных устройств для желаемых приложений, включая оптомеханику, однофотонные и одноэлектронные устройства.
Для изготовления функциональных устройств полупроводниковые наноструктуры должны быть организованы в упорядоченные структуры или узоры на наномасштабе. Функциональные структуры могут быть собраны с помощью различных подходов, таких как восходящий (самоорганизация), нисходящий (формирование и передача рисунка) и наноманипуляция, а также нетрадиционные подходы.
Несмотря на значительный прогресс в передовых технологиях изготовления, включая различные подходы к физическому и химическому синтезу наноструктур, существует ряд нерешенных проблем, которые не позволяют нам применять эти методы таким образом, чтобы обеспечить низкую стоимость, большую площадь покрытия и высокую сквозную производительность.
Этот специальный выпуск предоставляет исследователям возможность обсудить недавний прогресс в области нанопроизводства, новые стратегии сборки и характеристики новых функциональных полупроводниковых наноматериалов, которые позволяют нам разрабатывать новые появляющиеся приложения в оптоэлектронике.
Темы включают, но не ограничиваются ими, наногетероструктуры на основе III – V, II – VI, широкой запрещенной зоны, органических полупроводников и смешанных галогенидных перовскитов.
Профессор, д.ф-м.н. Иван Мухин
Приглашенный редактор