Шугуров К.Ю. — Лаборатория возобновляемых источников энергии

Шугуров Константин Юрьевич

shugurov17@mail.ru>

CV

Образование

08.2017 –2021

Санкт-Петербургский Академический Университет,

аспирант, научный руководитель – И.С. Мухин

Направление: 01.04.10 – физика полупроводников

Тема ВКР: Электрофизические свойства нитевидных нанокристаллов нитрида галлия, синтезированных на кремнии

09.2013–06.2015

Московский Физико-Технический Институт, факультет аэромеханики и летательной техники,

магистр прикладных математики и физики, научный руководитель – Анимица В.А.,

тема диссертации: «Исследование вибраций вертолета, обусловленных естественной работой несущего винта, а также методов их снижения»

09.2009-06.2013

Московский Физико-Технический Институт, факультет аэромеханики и летательной техники, бакалавр прикладных математики и физики

Гранты

Стипендия Президента молодым ученым и аспирантам (2021-2024)
Победитель конкурса на предоставление субсидий молодым ученым, молодым кандидатам наук вузов, отраслевых и академических институтов, расположенных на территории Санкт-Петербурга, 2021 г.
Тема: «Разработка СВЧ диода Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов нитрида галлия для российской электронной компонентной базы»
Победитель конкурса грантов для аспирантов вузов, отраслевых и академических институтов, расположенных на территории Санкт-Петербурга, 2020 г.
Тема: «Разработка высокочастотного диода Шоттки на базе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия для космической отрасли»Тема: «Разработка, создание и исследование быстродействующего диода Шоттки на базе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия для современной компонентной базы силовой электроники»
Победитель конкурса РФФИ на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, выполняемые молодыми учеными, обучающимися в аспирантуре («Аспиранты»), 2019 г.
Участие в проекте»Перспективный скоростной вертолет» в рамках гос. программы РФ «Развитие авиационной промышленности на 2013-2015 годы» по госконтракту с Министерством промышленности и торговли РФ

Область научных интересов

Нитевидные нанокристаллы, GaN, СВЧ, полупроводниковые структуры, пост-процессинг, численное моделирование

Публикации

Последнее обновление: 16.10.2022
Всего публикаций: 20

#2021

Single GaN Nanowires for Extremely High Current Commutation

Shugurov K., Mozharov A., Sapunov G., Fedorov V.,Tchernycheva M., Mukhin Ivan

Physica Status Solidi — Rapid Research Letters, vol. 15(4), pp. 2000590 , 2021

[DOI:10.1002/pssr.202000590] [IF:2.64] [SJR:0.786] [Q1]

Focused ion beam milling based formation of nanochannels in silicon-glass microfluidic chips for the study of ion transport

Lebedev Denis, Malyshev Grigory, Ryzhkov Ilya, Mozharov Alexey, Shugurov Konstantin, Sharov Vladislav, Panov Maxim, Tumkin Ilya, Afonicheva Polina, Evstrapov Anatoly, Bukatin Anton, Mukhin Ivan

Microfluidics and Nanofluidics, vol. 25(6), pp. 51 , 2021

[DOI:10.1007/s10404-021-02450-x] [IF:2.54] [SJR:0.524] [Q2]

The SU-8 spin-coating on silicon nanowires formed by cryogenic dry etching

Baranov A I, Kudyashov D A, Morozov I A, Shugurov K Yu, Uvarov A V, Maximova A A, Vyacheslavova E A, Gudovskikh A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 2086(1), pp. 012078 , 2021

[DOI:10.1088/1742-6596/2086/1/012078] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением

Баранов А.И., Кудряшов Д.А., Уваров А.В., Морозов И.А., Шугуров К.Ю., Максимова А.А., Вячеславова Е.А., Гудовских А.С.

Письма в журнал технической физики, vol. 47(18), pp. 47 , 2021

[DOI:10.21883/PJTF.2021.18.51474.18855] [IF:0.82] [SJR:0.306] [Q3]

Red GaPAs/GaP Nanowire-Based Flexible Light-Emitting Diodes

Neplokh Vladimir, Fedorov Vladimir, Mozharov Alexey, Kochetkov Fedor, Shugurov Konstantin, Moiseev Eduard, Amador-Mendez Nu\~no, Statsenko Tatiana, Morozova Sofia, Krasnikov Dmitry, Nasibulin Albert G., Islamova Regina, Cirlin George, Tchernycheva Maria, Mukhin Ivan

Nanomaterials, vol. 11(10), pp. 2549 , 2021

[DOI:10.3390/nano11102549] [IF:4.92] [SJR:0.919] [Q1]

#2020

Novel design strategy for GaAs-based solar cell by application of single-walled carbon nanotubes topmost layer

Mitin Dmitry M., Bolshakov Alexey D., Neplokh Vladimir, Mozharov Alexey M., Raudik Sergei A., Fedorov Vladimir V., Shugurov Konstantin Yu, Mikhailovskii Vladimir Yu, Rajanna Pramod M., Fedorov Fedor S., Nasibulin Albert G., Mukhin Ivan S.

Energy Science and Engineering, vol. 8(8), pp. 2938—2945 , 2020

[DOI:10.1002/ese3.713] [IF:4.07] [SJR:0.638] [Q2]

Hydrogen passivation of the n-GaN nanowire/p-Si heterointerface

Shugurov K. Yu, Mozharov A. M., Bolshakov A. D., Fedorov V. V., Sapunov G. A., Shtrom I. V., Uvarov A. V., Kudryashov D. A., Baranov A. I., Yu Mikhailovskii V., Neplokh V. V., Tchernycheva M., Cirlin G. E., Mukhin I. S.

Nanotechnology, vol. 31(24), pp. 244003 , 2020

[DOI:10.1088/1361-6528/ab76f2] [IF:3.73] [SJR:0.926] [Q1]

GaN nanowires/ p-Si interface passivation by hydrogen plasma treatment

Shugurov K., Mozharov A. M., Bolshakov A. D., Fedorov V. V., Uvarov A. V., Kudryashov D. A., Yu Mikhailovskii V., Cirlin G. E., Mukhin I. S.

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1537(1), pp. 12012 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1537/1/012012] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

Capacitance characterization of silicon nanowires formed by cryogenic dry etching

Baranov A. I., Kudryashov, D A, Dvoretckaia, L N, Morozov, I A, Uvarov, A V, Vyacheslavova, E A, Shugurov, K Yu, Gudovskikh, A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 12089 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1695/1/012089] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

Numerical study of Schottky diode based on single GaN NW on Si

Shugurov K.Y., Mozharov A.M., Mukhin I S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695(1), pp. 12172 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1695/1/012172] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

Influence of wet etching in KOH on defects in silicon nanowires formed by cryogenic dry etching

Baranov A. I., Kudryashov D. A., Morozov I. A., Uvarov A. V., Shugurov K. Yu, Gudovskikh A. S.

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697(1), pp. 12089 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1697/1/012060] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

#2019

Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure

Shugurov K. Yu, Reznik R. R., Mozharov A. M., Kotlyar K. P., Koval O. Yu, Osipov A. V., Fedorov V. V., Shtrom I. V., Bolshakov A. D., Kukushkin S. A., Mukhin I. S., Cirlin G. E.

Materials Science in Semiconductor Processing, vol. 90, pp. 20—25 , 2019

[DOI:10.1016/j.mssp.2018.09.024] [IF:3.29] [SJR:0.665] [Q1]

Effects of the surface preparation and buffer layer on the morphology, electronic and optical properties of the GaN nanowires on Si

Bolshakov A. D., Fedorov V. V., Shugurov K. Yu, Mozharov A. M., Sapunov G. A., Shtrom I. V., Mukhin M. S., Uvarov A. V., Cirlin G. E., Mukhin I. S.

Nanotechnology, vol. 30(39), pp. 395602 , 2019

[DOI:10.1088/1361-6528/ab2c0c] [IF:3.54] [SJR:1.026] [Q1]

GaN-nanowire/Si solar cell: Numerical modeling, fabrication and characterization

Shugurov K. Yu, Mozharov A. M., Sapunov G. A., Fedorov V. V., Bolshakov A. D., Cirlin G. E., Mukhin I. S.

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1199(1), pp. 12030 , 2019

[DOI:10.1088/1742-6596/1199/1/012030] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

Conductive AFM study of the electronic properties of individual epitaxial GaN nanowires

Sharov V., Bolshakov A., Fedorov V., Shugurov K. Yu, Mozharov A. M., Sapunov G. A., Mukhin I. S.

IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, vol. 699(1), pp. 12047 , 2019

[DOI:10.1088/1757-899X/699/1/012047] [IF:0.54] [SJR:0.198]

Conductive AFM study of the electronic properties of vertical GaN nanowires

VA Sharov, K Yu Shugurov, VV Fedorov, AM Mozharov

Scanning Probe Microscopy. Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials.—Ekaterinburg, 2019 pp. 260 , 2019

#2018

GaN nanowires on Si (111) substrates via molecular beam epitaxy: Growth, electronic and optical properties

Bolshakov A. D., Fedorov V. V., Sapunov G. A., Mozharov A. M., Dvoreckaia L. N., Shugurov K., Shkoldin V., Shtrom I. V., Mukhin M. S., Cirlin G. E., Mukhin I. S.

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1092(1), pp. 12013 , 2018

[DOI:10.1088/1742-6596/1092/1/012013] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

Influence of hydrogen plasma passivation on electrical and spectral characteristics of GaN nanowires / Si solar cells

Shugurov K. U., Mozharov A. M., Sapunov G. A., Fedorov V. V., Bolshakov A. D., Mukhin I. S.

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1124(4), pp. 41021 , 2018

[DOI:10.1088/1742-6596/993/1/012034] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

Microlens-Enhanced Substrate Patterning and MBE Growth of GaP Nanowires

Bolshakov A. D., Dvoretckaia L. N., Fedorov V. V., Sapunov G. A., Mozharov A. M., Shugurov K. Yu, Shkoldin V. A., Mukhin M. S., Cirlin G. E., Mukhin I. S.

Semiconductors, vol. 52(16), pp. 2088—2091 , 2018

[DOI:10.1134/S1063782618160054] [IF:0.76] [SJR:0.298] [Q3]

Self-Catalyzed MBE-Grown GaP Nanowires on Si(111): V/III Ratio Effects on the Morphology and Crystal Phase Switching

Fedorov V. V., Bolshakov A. D., Dvoretckaia L. N., Sapunov G. A., Kirilenko D. A., Mozharov A. M., Shugurov K. Yu, Shkoldin V. A., Cirlin G. E., Mukhin I. S.

Semiconductors, vol. 52(16), pp. 2092—2095 , 2018

[DOI:10.1134/S106378261816008X] [IF:0.76] [SJR:0.298] [Q3]