Максимова А. А. — Лаборатория возобновляемых источников энергии

Максимова Алина Андреевна

Инженер

+7 (999) 227-14-94
deer.blackgreen@yandex.ru

CV

Образование

2020 — …	СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Аспирантура Физические основы создания солнечных элементов на основе интеграции кремния и фосфидов элементов III группы
2018-2020	СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Магистратура Исследование влияния плазмохимического травления на электронные свойства кремниевых гетероструктур
2014-2018	СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Бакалавриат Моделирование гетероструктурных солнечных модулей

Научная деятельность

2020 — …

СПБАУ РАН им. Ж.И. Алферова

Лаборатория возобновляемых источников энергии
инженер

Область научных интересов

Полупроводники, солнечные элементы

Публикации

Последнее обновление: 16.10.2022
Всего публикаций: 15

#2021

Conformality of a-Si:H deposited by low temperature PECVD for solar cells application

Uvarov A V, Baranov A I, Morozov I A, Kudryashov D A, Maksimova A A, Vyacheslavova E A, Gudovskikh A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 2086(1), pp. 012041 , 2021

[DOI:10.1088/1742-6596/2086/1/012041] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

Study of GaP/Si electron-selective contact deposited by plasma

Maksimova A A, Baranov A I, Uvarov A V, Gudovskikh A S, Kudryashov D A, Morozov I A, Bogdanova M V

Journal of Physics: Conference Series, vol. 2086(1), pp. 012091 , 2021

[DOI:10.1088/1742-6596/2086/1/012091] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

Investigation of defects in structures based on BP/Si heterojunction

Maksimova A A, Baranov A I, Uvarov A V, Kudryashov D A, Gudovskikh A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 2103(1), pp. 012088 , 2021

[DOI:10.1088/1742-6596/2103/1/012088] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

Influence of the Design Features of a Magnetron Sputtering Deposition System on the Electrical and Optical Properties of Indium—Tin Oxide Films

Kudriashov D. A., Maksimova A. A., Vyacheslavova E. A., Uvarov A. V., Morozov I. A., Baranov A. I., Monastyrenko A. O., Gudovskikh A. S.

Semiconductors, vol. 55(4), pp. 410-414 , 2021

[DOI:10.1134/s1063782621040072] [IF:0.76] [SJR:0.298] [Q3]

Formation of Heterostructures of GaP/Si Photoconverters by the Combined Method of MOVPE and PEALD

Uvarov A. V., Baranov A. I., Vyacheslavova E. A., Kalyuzhnyi N. A., Kudryashov D. A., Maksimova A. A., Morozov I. A., Mintairov S. A., Salii R. A., Gudovskikh A. S.

Technical Physics Letters, vol. 47(10), pp. 730-733 , 2021

[DOI:10.1134/s1063785021070270] [IF:1.01] [SJR:0.446] [Q2]

Admittance Spectroscopy of Solar Cells Based on Selective Contact MoOx/Si Junction

Baranov A. I., Kudryashov D. A., Uvarov A. V., Morozov I. A., Maksimova A. A., Vyacheslavova E. A., Gudovskikh A. S.

Technical Physics Letters, vol. 47(11), pp. 785-788 , 2021

[DOI:10.1134/s1063785021080162] [IF:1.01] [SJR:0.446] [Q2]

Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова

Кудряшов Д.А., Максимова А.А., Вячеславова Е.А., Уваров А.В., Морозов И.А., Баранов А.И., Монастыренко А.О., Гудовских А.С.

Физика и техника полупроводников, vol. 55(4), pp. 360 , 2021

[DOI:10.21883/FTP.2021.04.50741.9561]

Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения

Уваров А.В., Баранов А.И., Вячеславова Е.А., Калюжный Н.А., Кудряшов Д.А., Максимова А.А., Морозов И.А., Минтаиров С.А., Салий Р.А., Гудовских А.С.

Письма в журнал технической физики, vol. 47(14), pp. 51 , 2021

[DOI:10.21883/PJTF.2021.14.51189.18781] [IF:0.82] [SJR:0.306] [Q3]

Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO-=SUB=-x-=/SUB=-/Si с помощью спектроскопии полной проводимости

Баранов А.И., Кудряшов Д.А., Уваров А.В., Морозов И.А., Максимова А.А., Вячеславова Е.А., Гудовских А.С.

Письма в журнал технической физики, vol. 47(16), pp. 24 , 2021

[DOI:10.21883/PJTF.2021.16.51324.18779] [IF:0.82] [SJR:0.306] [Q3]

Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением

Баранов А.И., Кудряшов Д.А., Уваров А.В., Морозов И.А., Шугуров К.Ю., Максимова А.А., Вячеславова Е.А., Гудовских А.С.

Письма в журнал технической физики, vol. 47(18), pp. 47 , 2021

[DOI:10.21883/PJTF.2021.18.51474.18855] [IF:0.82] [SJR:0.306] [Q3]

#2020

Temperature dependence of I-V characteristics in p-Si/MoO x and n-Si/LiF/Ta selective contacts

Maksimova A A, Baranov I A, Kudryashov A D, Gudovskikh A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 012073 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1695/1/012073] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

Application of selective contacts for study of silicon surface degradation

Kudryashov D A, Maksimova A A, Baranov A I, Uvarov A V, Morozov I A, Gudovskikh A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 012084 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1695/1/012084] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

Investigation of the temperature dependences of the I-V characteristics of p-Si/MoOxselective contacts

Maksimova A.A., Baranov A. I., Kudryashov D. A., Gudovskikh A. S.

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697(1), pp. 12169 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1697/1/012169] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

Using MoO x / p -Si Selective Contact for Evaluation of the Degradation of a Near-Surface Region of Silicon

Kudryashov D. A., Gudovskikh A. S., Maksimova A. A.

Technical Physics Letters, vol. 46(12), pp. 1245—1248 , 2020

[DOI:10.1134/S1063785020120202] [IF:0.87] [SJR:0.338] [Q3]

Применение селективного контакта MoO-=SUB=-x-=/SUB=-/p-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния

Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Максимова А.А., Баранов А.И., Уваров А.В., Морозов И.А.

Письма в журнал технической физики, vol. 46(24), pp. 37 , 2020

[DOI:10.21883/PJTF.2020.24.50427.18478] [IF:0.82] [SJR:0.306] [Q3]