Уважаемые коллеги,
Современные наноразмерные полупроводниковые системы с небольшими размерами открывают новые возможности для исследования и разработки оптоэлектронных устройств с выдающимися характеристиками. Низкоразмерные наногетероструктуры, включая нанопроволоки и квантовые точки, обладают однозначными и захватывающими свойствами, которые позволяют проектировать запрещенную зону и открывают новые стратегии манипулирования светом.
Полупроводниковые наноструктуры могут выступать в качестве строительных блоков для иерархической сборки функциональных наноразмерных устройств для желаемых приложений, включая оптомеханику, однофотонные и одноэлектронные устройства.
В настоящее время эпитаксиальная технология позволяет изготавливать наногетероструктуры с превосходным кристаллическим качеством. Особенно перспективной платформой для будущих оптоэлектронных приложений считаются полупроводники III-V, II-VI и III-нитриды или оксиды, обеспечивающие инженерию запрещенной зоны и связывания света. Эти материалы могут быть синтезированы не только на эпитаксиальных подложках, таких как Si, GaAs, Ge, InP и т.д., но и на оптически прозрачных пластинах, включая сапфир или даже аморфное стекло. Современные эпитаксиальные технологии, такие как молекулярно-лучевая эпитаксия, металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы или атомно-слоевое осаждение, позволяют изготавливать сложные гетероструктуры.
Этот специальный выпуск предоставляет исследователям возможность обсудить последние достижения в области эпитаксиальных технологий, методов нанофабрикации для синтеза материалов, передовых инструментов определения характеристик и обработки устройств, которые позволяют разрабатывать новые оптические и оптоэлектронные приложения на основе полупроводников.
Профессор, д.ф-м.н. Иван Мухин
Приглашенный редактор
Дедлайн подачи: 30 июня 2022
Подробности на сайте журнала Nanomaterials.