В статье «Effects of the surface preparation and buffer layer on the morphology, electronic and optical properties of the GaN nanowires on Si» мы исследовали влияние подготовки поверхности подложки Si (111) на формирование и свойства ННК GaN, синтезированных.методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Оказалось, что в зависимости от того, как именно обрабатывается поверхность (нитридируется ли она до осаждения GaN, наносится ли слой затравочных капель Ga, или же буферный слой AlN или широкозонного GaOx) наблюдается изменение:
- Морфологии ННК
- Измеряемой ВАХ структуры
- Отклика фотолюминесценции.
Из чего мы заключаем, что в зависимости от того, для каких целей используются ННК GaN, необходимо производить определенную подготовку поверхности подложки Si (111) для достижения требуемых геометрических или физических свойств.
Более подробно с результатами работы можно ознакомиться здесь: https://iopscience.iop.