Вячеславова Е. А. — Лаборатория возобновляемых источников энергии

Вячеславова Екатерина Алексадровна

Инженер

+7 (999) 516-44-89
cate.viacheslavova@yandex.ru

CV

Образование

2020 — …	СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова Аспирантура «Формирование и свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного кремния»
2018-2020	СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Магистратура «Исследование процесса формирования солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных кремниевых структур»
2014-2018	СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Бакалавриат «Проектирование блока индикации и управления для устройства предварительной очистки и проверки герметичности эндоскопов»

Научная деятельность

2020 — …

СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова

Лаборатория возобновляемых источников энергии
инженер

Область научных интересов

Полупроводники, солнечные элементы

Публикации

Последнее обновление: 16.10.2022
Всего публикаций: 20

#2022

Printed asymmetric microcapsules: Facile loading and multiple stimuli-responsiveness

Kudryavtseva Valeriya, Bukatin Anton, Vyacheslavova Ekaterina, Gould David, Sukhorukov Gleb B.

Biomaterials Advances, vol. 136(212762), pp. 212762 , 2022

[DOI:10.1016/j.bioadv.2022.212762]

Low-Temperature Plasma Deposition of III–V Compounds on Silicon for Multijunction Solar Cells

Gudovskikh Alexander S., Kudryashov Dmitri A., Baranov Artem I., Uvarov Alexander V., Morozov Ivan A., Monastyrenko Anatoliy O., Maksimova Alina A., Nashchekin Alexey V., Vyacheslavova Ekaterina A., Nevedomskiy Vladimir N.

ACS Applied Energy Materials, vol. 5(5), pp. 5356-5366 , 2022

[DOI:10.1021/acsaem.1c02691] [IF:4.54] [SJR:1.495] [Q1]

Investigation of Plasma Deposited Boron Phosphide and Its Contact to Silicon

Maksimova Alina A., Uvarov Alexander V., Baranov Artem I., Gudovskikh Alexander S., Kudryashov Dmitri A., Vyacheslavova Ekaterina A., Morozov Ivan A., Le Gall Sylvain, Kleider Jean-Paul

ACS Applied Energy Materials, vol. 5(5), pp. 5367-5373 , 2022

[DOI:10.1021/acsaem.1c02704] [IF:4.54] [SJR:1.495] [Q1]

Study of Cryogenic Unmasked Etching of “Black Silicon” with Ar Gas Additives

Vyacheslavova Ekaterina A., Morozov Ivan A., Kudryashov Dmitri A., Uvarov Alexander V., Baranov Artem I., Maksimova Alina A., Abolmasov Sergey N., Gudovskikh Alexander S.

ACS Omega, vol. 7(7), pp. 6053-6057 , 2022

[DOI:10.1021/acsomega.1c06435] [IF:3.01] [SJR:0.767] [Q1]

#2021

Impact of Interface Recombination on Quantum Efficiency of a‐Si:H/c‐Si Solar Cells Based on Si Wires

Gudovskikh Alexander, Kudryashov Dmitry, Baranov Artem, Uvarov Alexander, Morozov Ivan, Maksimova Alina, Vyacheslavova Ekaterina, Kirilenko Demid, Mozharov Alexey

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, vol. 218(22), pp. 2170061 , 2021

[DOI:10.1002/pssa.202170061] [IF:1.86] [SJR:0.527] [Q2]

Plasma-Deposited Multilayer GaP/Si p-i-n Structure for Tandem Silicon-Based Solar Cells

Uvarov Alexander V., Gudovskikh Alexander S., Baranov Artem I., Maksimova Alina A., Kudryashov Dmitriy A., Vyacheslavova Ekaterina A., Yakovlev George E., Zubkov Vasily I.

ACS Applied Energy Materials, vol. 5(5), pp. 5374-5380 , 2021

[DOI:10.1021/acsaem.1c02707] [IF:4.54] [SJR:1.495] [Q1]

Conformality of a-Si:H deposited by low temperature PECVD for solar cells application

Uvarov A V, Baranov A I, Morozov I A, Kudryashov D A, Maksimova A A, Vyacheslavova E A, Gudovskikh A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 2086(1), pp. 012041 , 2021

[DOI:10.1088/1742-6596/2086/1/012041] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

The SU-8 spin-coating on silicon nanowires formed by cryogenic dry etching

Baranov A I, Kudyashov D A, Morozov I A, Shugurov K Yu, Uvarov A V, Maximova A A, Vyacheslavova E A, Gudovskikh A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 2086(1), pp. 012078 , 2021

[DOI:10.1088/1742-6596/2086/1/012078] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

Plasma enhanced chemical vapor deposition of gallium phosphide at low temperature

Uvarov A V, Morozov I A, Baranov A I, Maximova A A, Vyacheslavova E A, Kudryashov D A, Gudovskikh A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 2103(1), pp. 012122 , 2021

[DOI:10.1088/1742-6596/2103/1/012122] [IF:0.6] [SJR:0.227] [Q3]

Influence of the Design Features of a Magnetron Sputtering Deposition System on the Electrical and Optical Properties of Indium—Tin Oxide Films

Kudriashov D. A., Maksimova A. A., Vyacheslavova E. A., Uvarov A. V., Morozov I. A., Baranov A. I., Monastyrenko A. O., Gudovskikh A. S.

Semiconductors, vol. 55(4), pp. 410-414 , 2021

[DOI:10.1134/s1063782621040072] [IF:0.76] [SJR:0.298] [Q3]

Formation of Heterostructures of GaP/Si Photoconverters by the Combined Method of MOVPE and PEALD

Uvarov A. V., Baranov A. I., Vyacheslavova E. A., Kalyuzhnyi N. A., Kudryashov D. A., Maksimova A. A., Morozov I. A., Mintairov S. A., Salii R. A., Gudovskikh A. S.

Technical Physics Letters, vol. 47(10), pp. 730-733 , 2021

[DOI:10.1134/s1063785021070270] [IF:1.01] [SJR:0.446] [Q2]

Admittance Spectroscopy of Solar Cells Based on Selective Contact MoOx/Si Junction

Baranov A. I., Kudryashov D. A., Uvarov A. V., Morozov I. A., Maksimova A. A., Vyacheslavova E. A., Gudovskikh A. S.

Technical Physics Letters, vol. 47(11), pp. 785-788 , 2021

[DOI:10.1134/s1063785021080162] [IF:1.01] [SJR:0.446] [Q2]

Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова

Кудряшов Д.А., Максимова А.А., Вячеславова Е.А., Уваров А.В., Морозов И.А., Баранов А.И., Монастыренко А.О., Гудовских А.С.

Физика и техника полупроводников, vol. 55(4), pp. 360 , 2021

[DOI:10.21883/FTP.2021.04.50741.9561]

Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения

Уваров А.В., Баранов А.И., Вячеславова Е.А., Калюжный Н.А., Кудряшов Д.А., Максимова А.А., Морозов И.А., Минтаиров С.А., Салий Р.А., Гудовских А.С.

Письма в журнал технической физики, vol. 47(14), pp. 51 , 2021

[DOI:10.21883/PJTF.2021.14.51189.18781] [IF:0.82] [SJR:0.306] [Q3]

Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO-=SUB=-x-=/SUB=-/Si с помощью спектроскопии полной проводимости

Баранов А.И., Кудряшов Д.А., Уваров А.В., Морозов И.А., Максимова А.А., Вячеславова Е.А., Гудовских А.С.

Письма в журнал технической физики, vol. 47(16), pp. 24 , 2021

[DOI:10.21883/PJTF.2021.16.51324.18779] [IF:0.82] [SJR:0.306] [Q3]

Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением

Баранов А.И., Кудряшов Д.А., Уваров А.В., Морозов И.А., Шугуров К.Ю., Максимова А.А., Вячеславова Е.А., Гудовских А.С.

Письма в журнал технической физики, vol. 47(18), pp. 47 , 2021

[DOI:10.21883/PJTF.2021.18.51474.18855] [IF:0.82] [SJR:0.306] [Q3]

#2020

Optical properties of dry etched vertically aligned silicon structures with different geometry

Vyacheslavova E.A., Morozov I.A., Gudovskikh A S, Uvarov A V, Baranov A I, Kudryashov D A

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695(1), pp. 12085 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1695/1/012085] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

Capacitance characterization of silicon nanowires formed by cryogenic dry etching

Baranov A. I., Kudryashov, D A, Dvoretckaia, L N, Morozov, I A, Uvarov, A V, Vyacheslavova, E A, Shugurov, K Yu, Gudovskikh, A S

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 12089 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1695/1/012089] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

Formation of SiO2hard mask using dry etching and nanosphere lithography

Vyacheslavova E. A., Morozov I. A., Kudryashov D. A., Gudovskikh A. S.

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697(1), pp. 12188 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1697/1/012188] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]

Study of Latex sphere mask dry etching in oxygen

Morozov I. A., Vyacheslavova K. A., Gudovskikh A. S., Uvarov A. V., Baranov A. I., Kudryashov D. A.

Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697(1), pp. 12192 , 2020

[DOI:10.1088/1742-6596/1697/1/012192] [IF:0.55] [SJR:0.21] [Q4]